Všechny komentáře k článku:Sandisk 32GB flash pevný disk
Připisovatelnos Flash pamětí
Nápad s flashovými "hdd" není špatný, ale jejich omezená možnost přepisů řádově 100vky tisíc a schopnost aotomatyckých oprav vadných segmentů a tohoto typu paměti si dovolím odhadnout že klasický pevný disk bude i na úkor "menších nedostatků" stále výhodnější parametry. Rozhodně ty v prři použití ve smyslu pevného disku tedy hdd
no ja si myslim ze sandisk dotahne tuhle technologii do vytouzeneho cile a nabidne nam na trhu velmi kvalitni flash hdd s velmi dobrymi parametry
zadne stovky tisic, dnesni flash pameti maji zivotnost pouze 5-10 tisic prepisu.
@qwertx: NAND maji stovky tisic :)......................... ale i tak je nerealne takovy disk zničit jenom tim že na něho budeš pořad zapisovat min 2 roky ti vydrzi vezproblemu i kdyby na něho svapovali win..... běžny IDE taky vydrži kolem 2 let
@staxsos: Běžný IDE vydrží kolem dvou let? No při permanentním zatížení asi jo, ale to by tohle vydrželo max. pár měsíců.
@qwertx: a když tohle hradlo skombinujes tak dostaneš NAND pamět :)) asi bys měl vic čist a min rozumovat :)) obycejny fglash pameti tušim použivani jine typy hradla :)
@staxsos: ja nerozumuju, flash je organizovana pamet typu E2PROM. Z NAND neni slozena v zadnem pripade (cena by byla neumerne vysoka a velmi mala hustota dat). Z wikipedia:Princip zápisu a čtení: Data jsou ukladana v poli transistorů (plovoucí brány), zvaných „buňky“, každá z nich obvykle uchováva 1 bit informace. Jedna brána je kontrolní brána (CG-control gate) druhá je plovoucí brána (FG-floating gate) navzájem izolované vrstvou kysličníku. Protože je FG izolovaný jeho izolační vrstvou oxidu, každé elektrony na něj přivedené jsou „uvězněny“ a tím pádem je uložena informace. Když jsou na FG nějaké elektrony, tak modifikují (částečně ruší) elektrické pole přicházející z CG, což modifikuje prahové napětí (Vt) buňky. Buňka je čtená umístěním specifického elektrického napětí na CG, elektrický proud pak buď teče, nebo neteče, a to v závislosti na Vt buňky, které je závislé na počtu elektronů na FG. Tato přítomnost nebo nepřítomnost elektrického proudu je přeložena na 1 a 0, představující uložená data. Flash buňka je naprogramovaná (nastavená na specifickou hodnotu) spuštěním toku elektronů ze zdroje do odvodu. Přivedení velkého napětí na CG pak poskytne dostatečně silné elektrické pole pro jejich vysátí na FG. Pro vymazání flash buňky je velký napěťový rozdíl přiveden mezi CG a zdroj, což odvede elektrony pryč skrz kvantový tunel. Současné flash paměťi jsou rozdělené do vymazatelných částí nazývaných buď bloky, nebo sektory. Všechny paměťové buňky v rámci jednoho bloku musí být vymazány současně.Z toho plyne ze 1 bit=1 trazistor , 1 hradlo NAND (negovany logicky soucin) obsahuje tranzistoru 6 a k uchovani logickeho stavu potrebujeme minimalne 2 NAND.
@qwertx: ;) mno proč ne když wikipedie tak by sis tam měl najit i tohleto http://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory#NAND_memories
@staxsos:
2 roky no jak u koho. Ja se k disku chovam hrozne, temer permanentne mam na 120gb(stary asi 3roky) i na 200gb(stary asi rok) volnyho v radu desitek MB, neprovadim zadny defragmentace apod. porad neco instaluju a odinstalovavam.. a disk slape, stejne jsem nekolik let uzival 40gb, ten zacal pekne chroustat a ted uz je dalsi 3 roky u babicky v pocitaci, kde spolehlivě šlape..
no nic.. ja jdu delat misto na disku uz mam zas jen par kB :))